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功率半导体
面向高效率功率转换的 MOSFET、IGBT、SiC、GaN 与功率模块选型。
N 沟道 MOSFET · 30-650 VIGBT 与模块 · 600-1700 VSiC MOSFET / 二极管 · 650-1700 V
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面向高效率功率转换的 MOSFET、IGBT、SiC、GaN 与功率模块选型。
覆盖控制、驱动、隔离、接口与精密信号链的关键器件。
为高频、高压和严苛环境提供电容、磁性、连接与保护器件。
连接精准感知、实时控制与工业通信。
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